四川6600W瞬态抑制二极管失效

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根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏***应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。贵州瞬态抑制二极管原理TVS按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的**型器件。

TVS的封装类型有：2）SMA/DO-214AC封装：SMAJ系列（400W）、P4SMA系列（400W）、TPSMAJ系列（400W）、SMA6J系列（600W）；3）SMB/DO-214AA封装：SMBJ系列（600W）、P6SMB系列（600W）、TPSMBJ系列（600W）、SMB10J系列（1000W）、SACB系列、SACA系列；5）SOD-123封装：SMF系列（200W）、TPSMF系列（200W）、SMF4L系列（400W）；6）DO-41封装：P4KE系列（400W）；7）DO-15封装：SA系列（500W）、P6KE系列（600W）、SAC系列；。。。。

长时间工作耗损对筛选合格的TVS器件进行浪涌寿命试验，发现TVS器件经过成千上万次标准指数脉冲(所能承受的浪涌脉冲次数与质量等级相关)冲击后失效，失效模式通常为短路。对失效样品进行解剖后，在扫描电镜下观察芯片，发现结边缘发生熔融现象和结边缘焊料结构发生了变化，且结**边缘处**为严重。失效机理可能结边缘焊料形成金属化合物而脆化，使管芯与底座热沉逐渐分离，结边缘的散热能力降低，长时间工作结温持续增大导致过热烧毁。箝位时间TC 是TVS两端电压从零到**小击穿电压VBR 的时间。

PN结加反向电压时截止如果电源的正极接N区，负极接P区，外加的反向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于反向偏置。则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。常用电路保护器件的主要失效模式为短路，瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外。贵州瞬态抑制二极管原理

引发 TVS 短路的**典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良。四川6600W瞬态抑制二极管失效

干扰脉冲过去后，TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时，其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压，因此起到了对其它元器件的保护作用。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位时间<1ns。TVS在其散热及功率承受范围内可反复应用于电路的过压保护。TVS根据极性可分为单向和双向TVS。单向TVS一般适用于直流电路，双向TVS一般适用于交流电路中。由于TVS起保护作用响应速度快、使用寿命长、封装多样化，钳位电压低，因此在瞬变电压防护领域有着非常多方面的应用。四川6600W瞬态抑制二极管失效

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