贵州SMC瞬态抑制二极管厂家

PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR等的反向阻断能力都直接取决于PN结的击穿电压，因此，PN结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除superjunction之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有比较高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在PN结的边缘引入球面或柱面边界，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的PN结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。TVS的钳位时间对单极性TVS一般是1×10-12秒；对双极性TVS一般 是1×10-11 秒。贵州SMC瞬态抑制二极管厂家

对于做汽车电子硬件设计的工程师来说，ISO7627-2这个标准是***不会陌生，这个测试项目就是电源线瞬态传导抗扰度，只因为电源线瞬态传导抗扰度的这几个测试波形太出名了，分别是波形1，2a，2b，3a，3b，4，5a，5b（如下截图是从ISO7637-22004版中截取的，在2011版的ISO7637中波形1和2a这两个的测试脉冲数已经改成500了）。对于从1到4的几个波形，基本上都是一些时间极短的脉冲，虽然正负电压的幅值很高，但是能量很小，基本上电路上不用做太多特殊的防护，单靠一般的电源芯片的电气特性就能防护下来，而对5a，5b波形，就需要做专门的应对了，而应对方法就是增加一个防浪涌的TVS管了。河南400W瞬态抑制二极管电压由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流 低、击穿电压偏差 、箝位电压低、无损坏极限、体积小等优点。

TVS和稳压管的区别表现在一些方面，***分类不同：TVS管：按极性，可分为单、双极性；按用途，可分为通用型、**型；稳压管：按稳压高低，可分为低压二极管和高压稳压二极管；按材料，可分为N型和P型。用途不同：TVS管：用于瞬态电压保护；TVS管电压精度是在一定范围内；TVS管通流能力能达到几百安；在稳压值当方面，TVS管6.8v-550V；稳压管：对漏极和源极进行箝位保护；精确度方面较高；稳压管的耐浪涌电流小；稳压管电压范围一般为3.3V-75V。

TVS和齐纳稳压管都能用作稳压，但是齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA，相对来说要比齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。在电路中一般工作于反向截止状态，此时它不影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下，当电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电压或脉冲电流时，它在极短的时间内（比较高可达到1×10-12秒）迅速转入反向导通状态，并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上，从而有效的保护电子线路中精密元器件免受损坏。做到 TVS 的正确选型与安装，比较好对 TVS 进行降额使用，这样可使 TVS 承受的功率较小。

参数①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM是TVS比较大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入TVS的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。②**小击穿电压VBR和击穿电流IRVBR是TVS**小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流（IR）时，加入TVS两极间的电压为其**小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把TVS分为±5%VBR和±10%VBR两种。对于±5%VBR来说，VWM=0.85VBR；对于±10%VBR来说，VWM=0.81VBR。当电路中通过的电流太大，可能会造成TVS炸裂，失效模式为开路。贵州SMC瞬态抑制二极管厂家

对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C 的TVS 器件。贵州SMC瞬态抑制二极管厂家

TVS管在稳压管工艺基础上发展起来的新产品，是一种新型的高效电路保护器件之一，具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力；而稳压二极管，利用pn结反向击穿状态，在电流变化范围内，保持电压稳定所研发出来稳压作用的二极管。共同点：在一定范围内，能限制两端的电压；长时间运作耐流值几乎一样，均跟体积功耗相关联。工作原理不同：tvs管：雪崩效应，在高能量的瞬时过压脉冲时，阻抗能立马降低到很低的导通值，允许较大电流通过，并将电压箝制到预定水平，避免电路中的精密元器件免受损坏。稳压管：齐纳隧道效应，当反向电压达到并超过稳定电压时，反向电流突然增大，而二极管两端电压恒定。贵州SMC瞬态抑制二极管厂家

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