山西SMB瞬态抑制二极管失效
车规级TVS与工业级TVS的区别如下:1.级别不同:元器件一般分为**,工业级,民用级这三个级别,市面流通基本都是工业级民用级,车规级很少用于区分级别的,大概介于工业级和**之间。2、工作温度范围不同:一般而言,工业级器件的工作温度范围为-40℃~+85℃,车规级器件则是-40℃~+125℃。3、优势不同:车规级器件比工业级器件有着更好的性能、更强的温度适应能力和抗干扰能力(包括抵抗温度极限、温差变化的能力以及其它可靠性等),车规级器件的优势就体现在它的性能和可靠性上,而这两者之间的主要差异就体现在产品的整个生产、管控以及测试环节。SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示贴片封装,分别**400W、600W、1.5kW和3kW。山西SMB瞬态抑制二极管失效
对于接口电路来说,为了保护我们的内部电路,都会在信号进入到电路板的连接器处增加TVS,而TVS是由二极管构成的,是二极管就会有结电容,结电容的大小会对信号造成一定的影响,特别是高速信号,而这里给出了建议的结电容大小,以使对信号的影响尽可能的降低,保证能正常的通信。以下对各接口的结电容建议:GPIO接口结电容<30pF,pushbutton<30pF,Audio<10pF,USB2.0<2.5pF,USB3.0<0.5pF,USB3.1gen2<0.3pF,HDMI1.4<0.7pF,HDMI2.0<0.5pF,天线<0.2pF。山东400W瞬态抑制二极管封装利用TVS 二极管,可有效吸收会造成器件损坏的脉冲,并能消除由总线之间开关所引起的干扰。
齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。
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对于做汽车电子硬件设计的工程师来说,ISO7627-2这个标准是***不会陌生,这个测试项目就是电源线瞬态传导抗扰度,只因为电源线瞬态传导抗扰度的这几个测试波形太出名了,分别是波形1,2a,2b,3a,3b,4,5a,5b(如下截图是从ISO7637-22004版中截取的,在2011版的ISO7637中波形1和2a这两个的测试脉冲数已经改成500了)。对于从1到4的几个波形,基本上都是一些时间极短的脉冲,虽然正负电压的幅值很高,但是能量很小,基本上电路上不用做太多特殊的防护,单靠一般的电源芯片的电气特性就能防护下来,而对5a,5b波形,就需要做专门的应对了,而应对方法就是增加一个防浪涌的TVS管了。当瞬态脉冲能量超过 TVS 所能承受能量时会引起 TVS 器件过电应力损伤。吉林1500W瞬态抑制二极管选型
TVS 台面缺陷造成的失效常常是批次性的。山西SMB瞬态抑制二极管失效
TVS的极性选择。单极性还是双极性-常常会出现这样的误解即双向TVS用来抑制反向浪涌脉冲,其实并非如此。双向TVS用于交流电或来自正负双向脉冲的场合。单向TVS用于直流电源信号防护,正向导通也可以起到泄放浪涌电流的作用。TVS有时也用于减少电容。TVS串联可以减少TVS的结电容,或串联一个低电容的二极管也可有效降低TVS的结电容。如果电路只有正向电平信号,那麽单向TVS就足够了。TVS操作方式如下:正向浪涌时,TVS处于反向雪崩击穿状态;反向浪涌时,TVS类似正向偏置二极管一样导通并吸收浪涌能量。山西SMB瞬态抑制二极管失效
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