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时间:2023年02月07日 来源:

4.为了解决上述技术问题,本发明提供了一种ddr4内存信号测试方法、装置及存储介质,可以反映正常工作状态下的波形,可以提高测试效率。5.为实现上述目的,本技术提出技术方案:6.一种ddr4内存信号测试方法,所述方法包括以下步骤:7.s1,将服务器、ddr4内存和示波器置于正常工作状态,然后利用示波器采集ddr4内存中的相关信号并确定标志信号;8.s2,根据标志信号对示波器进行相关参数配置,利用示波器的触发功能将ddr4内存的信号进行读写信号分离;9.s3,利用示波器对分离后的读写信号进行测试。10.在本发明的一个实施例中,所述将服务器、ddr4内存和示波器置于正常工作状态,然后利用示波器采集ddr4内存中的相关信号并确定标志信号,具体包括:11.将示波器与ddr4内存的相关信号引脚进行信号连接;12.将服务器、ddr4内存和示波器置于正常工作状态;13.利用示波器对ddr4内存的相关信号进行采集并根据相关信号的波形确定标志信号。DDR内存条电路原理图;江苏DDR测试维保

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实际的电源完整性是相当复杂的,其中要考虑到IC的封装、仿真信号的切换频率和PCB耗电网络。对于PCB设计来说,目标阻抗的去耦设计是相对来说比较简单的,也是比较实际的解决方案。在DDR的设计上有三类电源,它们是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%,而其瞬间电流从Idd2到Idd7大小不同,详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和用的一定数量的去耦电容,可以做到电源完整性,其中去耦电容从10nF到10uF大小不同,共有10个左右。另外,表贴电容合适,它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加严格的容差性,但是它承载着比较小的电流。显然,它只需要很窄的走线,且通过一两个去耦电容就可以达到目标阻抗的要求。由于Vref相当重要,所以去耦电容的摆放尽量靠近器件的管脚。然而,对VTT的布线是具有相当大的挑战性,因为它不只要有严格的容差性,而且还有很大的瞬间电流,不过此电流的大小可以很容易的就计算出来。终,可以通过增加去耦电容来实现它的目标阻抗匹配。在4层板的PCB里,层之间的间距比较大,从而失去其电源层间的电容优势,所以,去耦电容的数量将增加,尤其是小于10nF的高频电容。详细的计算和仿真可以通过EDA工具来实现。福建测量DDR测试协助DDR有那些工具测试;

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DDR4/5与LPDDR4/5的信号质量测试由于基于DDR颗粒或DDRDIMM的系统需要适配不同的平台,应用场景千差万别,因此需要进行详尽的信号质量测试才能保证系统的可靠工作。对于DDR4及以下的标准来说,物理层一致性测试主要是发送的信号质量测试;对于DDR5标准来说,由于接收端出现了均衡器,所以还要包含接收测试。DDR信号质量的测试也是使用高带宽的示波器。对于DDR的信号,技术规范并没有给出DDR信号上升/下降时间的具体参数,因此用户只有根据使用芯片的实际快上升/下降时间来估算需要的示波器带宽。通常对于DDR3信号的测试,推荐的示波器和探头的带宽在8GHz;DDR4测试建议的测试系统带宽是12GHz;而DDR5测试则推荐使用16GHz以上带宽的示波器和探头系统。

6.信号及电源完整性这里的电源完整性指的是在比较大的信号切换情况下,其电源的容差性。当未符合此容差要求时,将会导致很多的问题,比如加大时钟抖动、数据抖动和串扰。这里,可以很好的理解与去偶相关的理论,现在从”目标阻抗”的公式定义开始讨论。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent(1)在这里,关键是要去理解在差的切换情况下瞬间电流(TransientCurrent)的影响,另一个重要因素是切换的频率。在所有的频率范围里,去耦网络必须确保它的阻抗等于或小于目标阻抗(Ztarget)。在一块PCB上,由电源和地层所构成的电容,以及所有的去耦电容,必须能够确保在100KHz左右到100-200MH左右之间的去耦作用。频率在100KHz以下,在电压调节模块里的大电容可以很好的进行去耦。而频率在200MHz以上的,则应该由片上电容或用的封装好的电容进行去耦。DDR信号的读写分离方法;

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4.时延匹配在做到时延的匹配时,往往会在布线时采用trombone方式走线,另外,在布线时难免会有切换板层的时候,此时就会添加一些过孔。不幸的是,但所有这些弯曲的走线和带过孔的走线,将它们拉直变为等长度理想走线时,此时它们的时延是不等的,

显然,上面讲到的trombone方式在时延方面同直走线的不对等是很好理解的,而带过孔的走线就更加明显了。在中心线长度对等的情况下,trombone走线的时延比直走线的实际延时是要来的小的,而对于带有过孔的走线,时延是要来的大的。这种时延的产生,这里有两种方法去解决它。一种方法是,只需要在EDA工具里进行精确的时延匹配计算,然后控制走线的长度就可以了。而另一种方法是在可接受的范围内,减少不匹配度。对于trombone线,时延的不对等可以通过增大L3的长度而降低,因为并行线间会存在耦合,其详细的结果,可以通过SigXP仿真清楚的看出,L3长度的不同,其结果会有不同的时延,尽可能的加长S的长度,则可以更好的降低时延的不对等。对于微带线来说,L3大于7倍的走线到地的距离是必须的。 DDR在信号测试中解决的问题有那些;信号完整性测试DDR测试推荐货源

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这里有三种方案进行对比考虑:一种是,通过过孔互联的这个过孔附近没有任何地过孔,那么,其返回路径只能通过离此过孔250mils的PCB边缘来提供;第二种是,一根长达362mils的微带线;第三种是,在一个信号线的四周有四个地过孔环绕着。图6显示了带有60Ohm的常规线的S-Parameters,从图中可以看出,带有四个地过孔环绕的信号过孔的S-Parameters就像一根连续的微带线,从而提高了S21特性。

由此可知,在信号过孔附近缺少返回路径的情况下,则此信号过孔会增高其阻抗。当今的高速系统里,在时延方面显得尤为重要。 江苏DDR测试维保

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