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    本发明半导体加工领域，尤其涉及一种晶圆加热器。背景技术：现有的晶圆加热设备，加热丝呈螺旋状从中心向**旋转，加热丝在热盘中的分布不够均匀，无法达到均匀加热的目的，无法满足晶圆的高精度加热，而高精度加热对半导体的工艺至关重要。如中国发明专利cna所公开的一种能够提高照射效率的加热器。实施方式所涉及的加热器具备发光管、发热体及反射膜。发光管呈筒状，且所述发光管透光。发热体设置在发光管的内部，且发热体以碳作为主要成分。反射膜设置在发光管的外周面，并对光进行反射。上述现有技术的晶圆加热器无法恒温的均匀加热。技术实现要素：一、要解决的技术问题本发明的目的是针对现有技术所存在的上述问题，特提供一种晶圆加热器，解决现有加热器无法恒温的均匀加热的问题。二、技术方案为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆加热器，包括：加热盘、底板和若干垫柱；加热盘上设有七个加热区域，分别为***加热区域、第二加热区域、第三加热区域、第四加热区域、第五加热区域、第六加热区域和第七加热区域；***加热区域设置于中心区域，第二加热区域和第三加热区域设置于***加热区域外圆周。发热体设置在发光管的内部，且发热体以碳作为主要成分。PA10005-PCC10A加热板代理

    4为限位柱；5为温度传感器；6为过温保护器；7为隔热环；11为***加热区域；12为第二加热区域；13为第三加热区域；14为第四加热区域；15为第五加热区域；16为第六加热区域；17为第七加热区域。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不能用来限制本发明的范围。实施例一、本实施例的晶圆加热器的结构如图1至4所示包括：加热盘1、底板2和垫柱3加热盘1第二面上设有七个加热区域，分别为***加热区域11、第二加热区域12、第三加热区域13、第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17；***加热区域11设置于中心区域，第二加热区域12和第三加热区域13设置于***加热区域11外圆周，第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17设置于第二加热区域12和第三加热区域13外圆周；每个加热区域上均设置有若干弧形凹槽，且每个加热区域内的弧形凹槽均与相邻的弧形凹槽连接，使每个加热区域内的弧形凹槽形成串联；每个加热区域内均设置有一根加热丝，加热丝嵌于弧形凹槽内；底板2与加热盘1，使加热丝固定于加热盘1上。垫柱3为peek材料，高度为，设置在加热盘1上。MSA FACTORYPA8005-CC-PCC20A加热板总经销防止工质进入过渡沸腾区，从而导致传热恶化，壁温过热。

    如表1:表16月18日高频系统改进效果分析原始数据(°C)权利要求1.一种精确控温的高频加热装置，包括有对物件进行升温的高频机，其特征在于，还包括有监测物件温度并反馈正比电压信号的温度测控模块和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块。2.一种利用如权利要求1所述的精确控温的高频加热装置的加热方法，其特征在于包括有如下步骤第一步，开始高频加热，高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度，当物件温度距目标温度80120°C时，改为动态功率加热；第二步，温度测控模块根据不同温度，反馈与温度成正比的电压值，信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出，使其越接近目标温度，输出功率越小；第三步，信号调理模块动态调节高频机的功率输出，物件温度保持在目标温度值的士5°C的范围内。3.根据权利要求1所述的精确控温的高频加热装置，其特征在于所述的温度测控模块为红外线温度测控模块。全文摘要本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法，具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法；包括高频机、温度测控模块和信号调理模块；方法为1，开始高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度。

    是在晶圆的正面贴一层膜保护已经制作好的集成电路，然后通过研磨机来进行减薄。晶圆背面研磨减薄后，表面会形成一层损伤层，且翘曲度高，容易破片。为了解决这些问题，需要对晶圆背面进行湿法硅腐蚀，去除损伤层，释放晶圆应力，减小翘曲度及使表面粗糙化。使用槽式的湿法机台腐蚀时，晶圆正面及背面均与腐蚀液接触，正面贴的膜必须耐腐蚀，从而保护正面的集成电路。使用单片作业的湿法机台，晶圆的正面通常已被机台保护起来，不会与腐蚀液或者腐蚀性的气体有接触，可以撕膜后再进行腐蚀[3]。晶圆除氮化硅此处用干法氧化法将氮化硅去除晶圆离子注入离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱离子注入法是利用电场加速杂质离子，将其注入硅衬底中的方法。离子注入法的特点是可以精密地控制扩散法难以得到的低浓度杂质分布。MOS电路制造中，器件隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断，调整阀值电压用的沟道掺杂，CMOS的阱形成及源漏区的形成，要采用离子注入法来掺杂。离子注入法通常是将欲掺入半导体中的杂质在离子源中离子化，然后将通过质量分析磁极后选定了离子进行加速，注入基片中。退火处理去除光刻胶放高温炉中进行退火处理以消除晶圆中晶格缺陷和内应力。搅拌器附件优异的性能与智能技术令人印象深深的高性能。

    以恢复晶格的完整性。使植入的掺杂原子扩散到替代位置，产生电特性。去除氮化硅层用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱，并使原先的SiO2膜厚度增加，达到阻止下一步中n型杂质注入P型阱中。去除SIO2层退火处理，然后用HF去除SiO2层。干法氧化法干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅。此时P阱的表面因SiO2层的生长与刻蚀已低于N阱的表面水平面。这里的SiO2层和氮化硅的作用与前面一样。接下来的步骤是为了隔离区和栅极与晶面之间的隔离层。光刻技术和离子刻蚀技术利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层。湿法氧化生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区。生成SIO2薄膜热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。氧化LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层。形成源漏极表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。沉积利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。每一个芯片的电性能力和电路机能都被检测到。PH250加热板价格

在晶圆制造完成之后，晶圆测试是一步非常重要的测试。PA10005-PCC10A加热板代理

    EvaporationDeposition）采用电阻加热或感应加热或者电子束等加热法将原料蒸发淀积到基片上的一种常用的成膜方法。蒸发原料的分子（或原子）的平均自由程长（10-4Pa以下，达几十米），所以在真空中几乎不与其他分子碰撞可直接到达基片。到达基片的原料分子不具有表面移动的能量，立即凝结在基片的表面，所以，在具有台阶的表面上以真空蒸发法淀积薄膜时，一般，表面被覆性（覆盖程度）是不理想的。但若可将Crambo真空抽至超高真空（<10–8torr），并且控制电流，使得欲镀物以一颗一颗原子蒸镀上去即成所谓分子束磊晶生长（MBE：MolecularBeamEpitaxy）。（3）溅镀（SputteringDeposition）所谓溅射是用高速粒子（如氩离子等）撞击固体表面，将固体表面的4004的50mm晶圆和Core2Duo的300mm晶圆原子撞击出来，利用这一现象来形成薄膜的技术即让等离子体中的离子加速，撞击原料靶材，将撞击出的靶材原子淀积到对面的基片表面形成薄膜。溅射法与真空蒸发法相比有以下的特点：台阶部分的被覆性好，可形成大面积的均质薄膜，形成的薄膜，可获得和化合物靶材同一成分的薄膜，可获得绝缘薄膜和高熔点材料的薄膜，形成的薄膜和下层材料具有良好的密接性能。因而。PA10005-PCC10A加热板代理

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