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微纳加工-激光掩模版的作用:
光刻掩模版,别称“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”,一般使用玻璃或者石英表面覆盖带有图案的金属图形,实现对光线的遮挡或透过功能,是微电子光刻工艺中的一个工具或者板材。我们利用光罩可以实现微电子工艺中的图形传递。光刻掩模版的加工技术主要有两种:其一为激光直写技术;其二为电子束直写部分,两种技术区别在于光源不同,实现的精度有所区别。掩模版是光刻工艺不可缺少的部件。掩模上承载有设计图形,光线透过它,把设计图形透射在光刻胶上,掩膜版的功能类似于传统照相机的“底片”。我们可以通过把图形做在掩模版上通过下一步曝光工艺(下期讲解)转移到我们的基底上,基底上有对应的相关图形了,但是通过曝光基底上还没有刻上图形,只是光刻胶有了相关图形。光刻胶的是一种对光敏感的材料,通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化。有可能会变容易溶解也可能变得不容易,这时候再通过显影液,不稳定的部分将会被处理掉,剩下的就是我们想要的图形。 激光热处理,激光淬火。成都QuikLaze激光
掩模版激光都有哪些种类?
普通版:一般使用苏打玻璃或者石英,常见2寸到10寸,线宽一般在1um以上,主要用户接触式曝光机,转移图形与版图尺寸为1:1,实现同比例的图形转移。
Stepper版:一般使用石英版,常见为5寸和6寸版,线宽一般在500nm以上,主要用于Stepper曝光机台,转移图形与版图尺寸实际比例一般是4:1或者5:1,实现将版图图形缩小4~5倍之后投射于目的片上。
纳米压印版:一般用石英版,刻蚀其表面的金属形成沟槽和透光不透光的组合,尺寸一般需要5寸及以上,采用电子束直写的技术实现表面nm图形的转移,一般线宽在200~800nm左右,借助掩模版对光刻胶的压力、同时辅助紫外曝光,实现纳米级图形的转移。
金属掩模版:一把采用不锈钢,在不锈钢表面通过激光加工的方式,实现表面镂空的图形设计,线宽一般要20um,能够用于电子束蒸发、磁控溅射中,用于电极图形的转移。 激光厂家供应激光应用之激光光谱;
揭秘0.1mm激光钻孔:
随着电子产品的不断升级,企业对PCB工艺的要求越来越高,而且由于结构空间原因,希望PCB的体积越小越好,这又进一步对工艺发展提出了新要求。因此,PCB工艺正变得越来越复杂,钻孔就是其中一道难题。
一、0.1mm的钻孔,为什么做不了?很多工程师看到板厂的工艺能力写着小孔0.1mm时,便把PCB设计中的孔改到0.1mm,以解决线路布局空间不足的问题。但当他们把设计文件发给板厂打板时,却收到板厂反馈这孔做不了!怎么回事呢?其实这里有个误区——不是所有的板都能做0.1mm的钻孔。0.1mm是很小的孔,采用机械钻的时候,容易断刀,目前比较小的机械钻是0.15mm,低于0.15mm的孔需要采用激光钻。但激光钻孔有个前提条件,就是板子的介质厚度只能是0.127mm以内,大于这个厚度就无法激穿。因此,板子之所以不能做0.1mm的孔,不是因为板厂做不了,是因为设计的板子太厚了。
激光光掩膜主要分两个组成部分,即基板和不透光材料,不同掩模版的不透光材料有所不同。基板通常是高纯度,低反射率,低热膨胀系数的石英玻璃。不同种类光掩膜使用的不透光材料不同。光掩膜分为铬版(苏打玻璃、石英玻璃、硼硅玻璃)、干版、菲林、凸版(APR)。铬版的不透光层是通过溅射方法镀在玻璃下方厚约 0.1um 的铬层。铬的硬度比玻璃略小,不易受损但有可能被玻璃所伤害。应用于芯片制造的光掩膜为高敏感度的铬版。干版涂附的乳胶,硬度小且易吸附灰尘,不过干版还有包膜和超微颗粒干版,后者可应用于芯片制造。大功率半导体激光器;
常见、有代表性的激光应用之激光成像医疗应用:近期,华科大某团队通过改变激光散斑成像的探测方式,极大提升了激光散斑成像对厚组织的成像能力,使得源于血管层的动态散斑信号强于静态散斑信息,从而提升了血流探测的信背比。
常见、有代表性的激光应用之激光测速:对被测物体进行两次有特定时间间隔的激光测距,取得在该时段内被测物体的移动距离,从而得到被测物体移动速度。
常见、有代表性的激光应用之激光测距:包括飞行时间法(TOF)、干涉法、三角法。三种方法由于测距原理不同,导致测距性能各不相同,如测量距离、精度等。飞行时间法常用于远距离测距,测量距离在20km以上;三角法和干涉法多用于近距离测距,由于干涉法的测距精度高,多用于精密仪器的检测。 激光雷达用激光器作为辐射源;成都QuikLaze激光
光刻掩模版的加工技术;成都QuikLaze激光
半导体激光器具有输出波长范围广、结构简单和易于集成等优势,广泛应用于医疗、传感、光学通讯和航空航天等领域。本文主要介绍了半导体激光器的封装结构及失效机理与典型案例分析及半导体激光器的发展趋势。
封装结构半导体激光器,即采用半导体材料作为工作物质的激光器。其结构以半导体PN结为主要工作区,在正向偏压下,通过向激光器的PN结有源区注入载流子,引起有源区内的载流子数反转分布,位于导带的电子与价带的空穴在有源区进行复合,辐射出光子。半导体的两端的解理面构成光学谐振腔,提供光学反馈和控制输出光的方向与频率。
半导体激光器中的芯片主要通过薄膜沉积、匀胶显影、金属沉积、金属刻蚀及去胶等步骤完成芯片的制作。
半导体激光器的封装通常为全金属化焊接的气密性封装结构,保证器件良好的气密性及高可靠。半导体激光器的封装形式通常为TO(同轴)封装、插拔式同轴封装、窗口式同轴封装、尾纤式同轴封装、蝶式封装、气密小室封装、子载体封装等。 成都QuikLaze激光
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