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    降低待加工部件20如inp基晶圆的机械加工损伤。由于本发明实施例中采用光刻胶对托盘和待加工部件进行了固定，因此，对待加工部件的待加工表面进行抛光和减薄之后，还包括：对待加工部件进行清洗；采用特定溶液对光刻胶进行腐蚀，以将待加工部件与托盘分离。具体地，在完成抛光和减薄后，可以采用直链烷基苯磺酸盐溶剂对待加工部件20进行清洗，用di水冲洗干净，40℃的氮气吹干。之后，将清洗后的待加工部件20和托盘10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min，使得待加工部件20和托盘10自动分离，取出待加工部件20后清洗干净即可。本发明实施例提供的方法，还包括：在磁转子运行一段时间后，更换磁转子。如磁转子12工作1小时后，可以将磁转子12更换为新的磁转子，以使磁转子与待加工表面贴合紧密，避免了传统减薄工艺中由于转子形变误差造成的加工精度失真。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。对所公开的实施例的上述说明。质量好的减薄用清洗剂的找谁好？嘉兴哪家减薄用清洗剂溶剂

选择减薄用清洗剂的注意事项：与被清洗材料的兼容性确保清洗剂不会对被清洗材料产生腐蚀、溶解、变色等不良影响。在选择清洗剂之前，比较好进行小样试验，以确定其适用性。清洗效果根据被清洗材料的表面状况和杂质类型，选择具有良好清洗效果的清洗剂。可以参考清洗剂的产品说明书、用户评价等信息，了解其清洗能力。安全性考虑清洗剂的安全性，包括对人体的危害、易燃易爆性、毒性等。选择安全可靠的清洗剂，并在使用过程中采取必要的防护措施。环保性尽量选择环保型清洗剂，减少对环境的污染。关注清洗剂的生物降解性、挥发性有机物含量等环保指标。成本效益综合考虑清洗剂的价格、使用寿命、清洗效率等因素，选择成本效益高的清洗剂。嘉兴中芯国际用减薄用清洗剂费用清洗剂的分类有哪些；

    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。

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    较佳的，所述冲洗区包括冲洗区、第二冲洗区和第三冲洗区，所述第二冲洗区设置于所述冲洗区和所述第三冲洗区之间，所述冲洗区设置于所述第二冲洗区和所述转换区之间，所述第三冲洗区设置于所述第二冲洗区和所述蚀刻区之间。较佳的，所述冲洗区设置有辅助厚度测量仪。较佳的，所述第三冲洗区设置有第二辅助厚度测量仪。较佳的，所述转换区设置为可升降的折叠式结构。较佳的，所述转换区设置有装卸臂。与现有技术比较本发明的有益效果在于：1，本发明中所述玻璃减薄生产线采用喷淋减薄的方式对竖直容纳在玻璃加工治具中的玻璃进行减薄处理，可实现单次多片玻璃减薄，同时避免浸泡式减薄法中反应产物粘附在玻璃上造成不良品的问题；2，本发明中所述玻璃加工治具在减薄处理时进行往复移动使侧支撑件与玻璃之间接触点产生变化，从而避免所述侧支撑件与玻璃之间的接触点因所述侧支撑件的长期接触造成接触点无法被喷淋液喷淋而产生的不良次品问题；3，本发明通过所述侧支撑件的固定结构，可实现所述侧支撑件的位置调节，从而使玻璃加工治具适用于不同尺寸的玻璃并可将不同尺寸的玻璃同时设置于玻璃加工治具上同时进行减薄处理。附图说明图1为所述玻璃减薄设备的结构示意图。专业减薄用清洗剂，让您的生产更高效，成本更低。扬州清洗效果好的减薄用清洗剂私人定做

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