成都单克隆抗体工厂设计

洁净厂房低压配电电压应采用220/380V。带电导体系统型式宜采用单相二线制、三相三线制、三相四线制。系统接地的型式宜采用TN-S或TN-C-S系统。洁净厂房的用电负荷等级和供电要求应根据现行国家标准《供配电系统设计规范》(GB50052)和生产工艺要求确定。主要生产工艺设备由变压器或低压馈电线路供电，有特殊要求的工作电源宜设置不间断电源(UPS)。净化空调系统用电负荷、照明负荷应由变电所专线供电。洁净厂房的消防用电设备的供配电设计应按现行国家标准《建筑设计防火规范》(GBJ16)规定执行。电源进线(不包括消防用电)应设置切断装置，并宜设在洁净区外便于管理的地点。洁净室内的配电设备，应选择不易积尘、便于擦拭的小型暗装设备，不宜设置大型落地安装的配电设备。洁净室内的电气管线宜暗敷，穿线导管应采用不燃材料。洁净区的电气管线管口及安装于墙上的各种电器设备与墙体接缝处应有可靠的密封措施。基因净化工程欢迎咨询成都博一医药设计有限公司。成都单克隆抗体工厂设计

人员和工艺所产生的悬浮污染可立即被这种空气掉，而紊流通风系统采用的是混合与稀释原理。在一间没有任何障碍物的空房间，单向流用比前面提到的低得多的风速，就可以很快将污染物。但在一个操作间，机器以及机器周围走动的人员，会对气流形成障碍。障碍物可以使单向流变成紊流，从而在障碍物周围形成气流团。人员的活动也可以使单向流变成紊流。在这些紊流中，由于风速较低，空气稀释程度较小，从而使得污染浓度较高。因此，必须将风速保持在0.3米/秒至0.5米/秒（60英尺/分钟至100英尺/分钟）的范围里，以便使中断的单向流能快速恢复，充分稀释障碍物周围紊流区的污染。用风速可以正确地表示出单向流，因为风速越高室内就越洁净。而每小时换气次数与房间的体积有关，如吊顶的高低，因此不适合用来表示单向流。单向流室内的送风量是紊流室的很多倍（10到100倍）。成都单克隆抗体工厂设计基因工程厂房设计推荐成都博一医药设计有限公司。

在进行厂房设计时，需要考虑以下因素：能源利用：设计时要考虑能源的有效利用，包括采光、通风、空调、供暖等。合理利用自然光和自然通风可以降低能源消耗。设备维护：考虑设备的维护和保养需求，包括设备的维修通道、维修设施、设备的易用性等。确保设备的正常运行和维护的便捷性。人员需求：考虑员工的工作环境和舒适度，包括工作区域的大小、通风条件、卫生设施等。提供良好的工作条件可以提高员工的工作效率和满意度。扩展性和灵活性：设计时要考虑未来的扩展需求和变化，留出足够的空间和设施，以便进行扩建或调整。成本控制：在设计过程中要考虑成本因素，包括建筑材料的选择、设备的配置、施工工艺等。合理控制成本可以提高项目的经济效益。法律法规：设计时需遵守相关的法律法规和建筑规范，包括建筑设计规范、环保要求、安全标准等。

洁净室内的新鲜空气量应满足以下条件中的最大值：1.补偿室内排风量和保持室内正压值所需的新鲜空气量之和。2.每人每小时供给洁净室内的新鲜空气量不少于40m3。3.对于1级到5级的单向流洁净室，宜采用集中式真空吸尘系统；对于洁净区的一般清扫，宜采用移动式高效真空吸尘器。洁净室内的吸尘系统管道应暗藏，吸尘口应加盖封堵。洁净室与周围空间之间必须维持一定的压差，并根据生产工艺要求决定维持正压差或负压差。不同等级的洁净室以及洁净区与非洁净区之间的压差应不小于5Pa，洁净区与室外的压差应不小于10Pa。根据洁净室的特点，确定维持不同压差值所需的压差风量可以采用缝隙法或换气次数法。送风、回风和排风系统的启闭应进行联锁控制。正压洁净室的联锁程序为先启动送风机，再启动回风机和排风机；关闭时的联锁程序相反。负压洁净室的联锁程序与正压洁净室相反。厂房设计商家推荐成都博一医药设计有限公司。

根据《建筑设计防火规范》GB50016-2014，建筑物的耐火等级根据建筑构件（梁、柱、楼板、墙等）的燃烧性能和耐火极限一般分为四个等级。而一般医药化工厂房设施和仓库都是甲、乙、丙为主。因此需要根据原有厂房设计图纸，准确判定其原有耐火等级是否满足。原则上不去改变原有建筑物的耐火等级设计及使用性质。涉及耐火等级不满足的建筑物时，需重新选定改造地点。因此进行改造时还要注意以下几点，一是构建的保护层是否有脱落和变质，若是有就要加以加固；二是对于原有已经加固的部位，改造前应采用混凝土砂浆层对其进行防火保护；洁净实验室设计推荐成都博一医药设计有限公司。四川血液制品工程设计

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洁净室中的温湿度控制洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超过25度，湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以。相对湿度越高,粘附的越难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产比较好湿度范围为35—45%。成都单克隆抗体工厂设计